(2 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Skaityti daugiau(3718 darbai)
(2 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Skaityti daugiau(3 puslapiai)
Darbo užduotis: Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Rezultatai. Išvados. Skaityti daugiau(4 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Darbo rezultatai: Fotorezistoriaus tamsinės voltamperinės charakteristikos tyrimas. Skaityti daugiau(4 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Darbo rezultatai. Išvados. Skaityti daugiau(5 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Rezultatai. Grafikai. Išvados. Skaityti daugiau(3 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Darbo eiga. Išvada. Skaityti daugiau(4 puslapiai)
Darbo užduotis. Ištirti puslaidininkinio fotorezistoriaus šviesinę ir voltamperinę charakteristiką. Nustatyti vidutinę krūvininkų gyvavimo trukmę. Išmoktini klausimai. Teorinė dalis. Aparatūra ir darbo metodas. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(7 puslapiai)
Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Grafikai. Skaityti daugiau(11 puslapių)
Darbo tikslas: tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse; išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Matavimų grandinių schemos. Darbe tyrinėjamos medžiagos. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Darbo eiga. Ge ir Si diodo VACh matavimas. Stabilitrono KC182Z tiesioginės ir atvirkštinės ir šviesos diodo AЛ307B tiesioginės šakos matavimas. Skaityti daugiau(9 puslapiai)
Darbo tikslas. Teorinė dalis. Prietaisai ir priemonės. Matavimų grandinių schemos. Darbo eiga. Išvada. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkinių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnį, diodų darbą paprasčiausiose elektrinėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leidžiamųjų būvių ar rėžimų ribose. Darbo eiga. Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Teorinė dalis. Eksperimentų rezultatai ir jų analizė. Germanio ir Silicio diodų tyrimas. Germanio ir Silicio diodų VACh matavimas. Germanio ir Silicio diodų parametrų skaičiavimas. Silicio stabilitrono VACh darbinės (atvirkštinės) šakos tyrimas. Silicio stabilitrono VACh matavimas. Silicio stabilitrono parametrų skaičiavimas. Šviesos diodo VACh tyrimas. Šviesos diodo VACh matavimas. Diodinio optrono VACh tyrimas. Diodinio optrono VACh matavimas. Diodinio optrono srovės diferencialinio perdavimo koeficiento skaičiavimas. Bendrosios išvados. Naudotos aparatūros sąrašas. Skaityti daugiau(10 puslapių)
Darbo tikslas: Tyrinėti ir pagrįsti puslaidininkių diodų, diodinio optrono veikimo principus bei savybes, VACh ir parametrus, diodų teorinių modelių ir realių diodų atitikimo laipsnį, darbą paprasčiausiuose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Išmokti naudotis diodų ir diodinių elementų žinynais. Teorinė dalis. Nubraižome matavimų grandinių schemas. Apskaičiuojame diodo teorinės VACH duomenis pagal paprasčiausią VACH formulę. Germanio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Šviesos diodo tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas tiesioginio jungimo elemento VACh matavimas. Silicio stabilitronas atvirkštinio jungimo elemento VACh matavimas. Nubraižome tiesioginio jungimo VACh. Nubraižome atvirkštinio jungimo VACh. Diodinis optronas. Apskaičiuojame optrono srovės statinį perdavimo koeficientą, išreikštą nuošimčiais. Germanio diodo ir silicio stabilitrono statinės varžos ir diferencialinės varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės. Silicio stabilitrono diferencialinių varžos priklausomybė nuo tiesioginės srovės.Išvados. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Teorinė dalis. Darbo eiga. Germanio diodo D9K tyrimas. Silicio diodo 1N4007 tyrimas. Stabilitrono BZX55C13 tyrimas. Šviesos diodo W1503SRC/F tyrimas. Skaityti daugiau(6 puslapiai)
Laboratorinis darbas Nr. 1. 20 variantas. Darbo tikslas. Tyrinėti ir pagrįsti puslaidinikinių diodų ir optoeletroninių elementų veikimo principus, bei savybes. VACh ir parametrus, teorinių modelių ir realiųjų diodų atitikimo laipsnių, darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse. Išmokti praktiškai apriboti diodų darbą leistinųjų režimų ribose. Darbo eiga. Apskaičiuoju diodo teorinės VACh duomenis. Germanio diodo D20 tyrimas. 2 Silicio diodo BAT85 tyrimas. Šviesos diodo L-53YD tyrimas. Išvados. Skaityti daugiau(1 puslapis)
Darbo tikslas. Išnagrinėti puslaidininkinių integrinių grandynų (IG) savybes, elementus ir IG technologinius procesus. Kontrolinio tranzistoriaus eskizas. Išvados. Skaityti daugiau(1 puslapis)
Darbo tikslas: išnagrinėti puslaidininkinių integrinių grandynų (IG) savybes, elementus ir IG gamybos technologinius procesus. Darbo rezultatai. Tranzistoriaus su tiesiu kolektoriumi pjūvis ir vaizdas iš viršaus. Tranzistoriaus su П formos kolektoriumi vaizdas iš viršaus. Išvados. Skaityti daugiau(4 puslapiai)
Darbo tikslas. Difuzijos proceso tyrimas. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Skaityti daugiau(2 puslapiai)
Darbo tikslas. Išnagrinėti puslaidininkinių integrinių grandynų gamybos procesus, išmokti modeliuoti terminės priemaišų difuzijos procesą. Pradiniai duomenys. Skaičiavimų rezultatai. Difuzija iš begalinio šaltinio; difuzinio profilio tyrimas. Difuzinio srauto ir legiravimo dozės skaičiavimas, kai difuzijos šaltinis begalinis. Difuzinio profilio skaičiavimas, kai difuzija vyksta iš baigtinio šaltinio. Priemaišų pasiskirstymas tranzistoriuje, formuojamame dvikartės difuzijos būdu. Išvados. Skaityti daugiau